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  • 型号：PMBFJ174
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：1038NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：W6X
  • 封装：SOT-23/SC59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30 V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage30 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current－20.0~－135.0mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage5.0~10.0V
耗散功率PdPower Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsPMBFJ174 P-channel silicon field-effect transistors DESCRIPTION Silicon symmetrical p-channel junction FETs in plastic microminiature SOT23 envelopes. They are intended for application with analogue switches, choppers, commutators etc. using SMD technology. A special feature is the interchangeability of the drain and source connections.
描述与应用PMBFJ174 P-沟道硅场效应晶体管 说明 硅对称p沟道结场效应晶体管的塑料超小型SOT23封装。他们的目的是为应用模拟开关，换向器等采用SMD技术。比较特别的是漏极和源极连接的互换性。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
PMBFJ174
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