首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：BF510
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：06NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：SG
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.7~3ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率PdPower Dissipation250mW/0.25W
Description & Applications•N-channel silicon field-effect transistors DESCRIPTION Asymmetrical N-channel planar epitaxial junction field-effect transistors in the miniature plastic the products are very suitable for applications such as the r.f. stages in f.m. portables (BF510), car radios (BF511) and mains radios (BF512) or the mixer stage (BF513).
描述与应用•N沟道硅场效应晶体管 说明 非对称N沟道平面 外延结型场效应 微型塑料晶体管 的产品，非常适合 射频应用，如阶段 F.M.笔记本电脑（BF510），汽车收音机 （BF511）和电源收音机（BF512） 混频级（BF513）。
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
BF510
*主题：
详细内容：
*验证码：