TF202FC-4-TL-H N沟道结型场效应管 20v 0.14~0.24mA sot-723 marking/标记 E4 驻极体麦克风|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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TF202FC-4-TL-H N沟道结型场效应管 20v 0.14~0.24mA sot-723 marking/标记 E4 驻极体麦克风

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商品参数：

型号：TF202FC-4-TL-H
厂家：SANYO
批号：08NOPB
整包数量：8000
最小起批量：100
标记/丝印/代码/打字：E4
封装：TF202FC-4-TL-H
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	0.14~0.24ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.2~-1v
耗散功率PdPower Dissipation	100mW/0.1W
Description & Applications	N-channel Junction FET Features • Especially suited for use in electret condenser microphone. • Ultrasmall package permitting TF202 applied sets to be made small and slim. • Excellent voltage characteristics. • Excellent transient characteristics. • Adoption of FBET process.
描述与应用	N沟道结型场效应管特点 •尤其适用于使用电容式驻极体麦克风。 •超小包装允许TF202 应用设置作出小巧玲珑。 •优秀的电压特性。 •出色的瞬态特性。 •通过过程FBET。

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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