| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.2Ω/Ohm @100mA,4V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Low on-resistance RDS(on)= 0. 2Ω typ (VGS= 4 V, ID = 100 mA) 2.5V gate drive devices. Small package (MPAK) |
| 描述与应用 | 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 低导通电阻 RDS（ON）= 0。 2Ω典型值（VGS=4 V，ID= 100毫安） 2.5V栅极驱动设备。 小型封装（MPAK） |