2SJ508 P沟道MOS场效应管 -100V -1A 1.9ohm SOT-89 marking/标记 ZE 高速开关|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SJ508 P沟道MOS场效应管 -100V -1A 1.9ohm SOT-89 marking/标记 ZE 高速开关

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型号：2SJ508
厂家：TOSHIBA
批号：0709NOPB 07NOPB200
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：ZE
封装：SOT-89/SC-62
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-100V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	1.9Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.8--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation	500mW/0.5W
Description & Applications	TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE 4V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode
描述与应用	东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 4V栅极驱动低漏源电阻高正向转移导纳低漏电流增强模式

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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