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  • 型号：2SJ508
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：0709NOPB 07NOPB200
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：ZE
  • 封装：SOT-89/SC-62
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-100V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1.9Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.8--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE 4V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode
描述与应用东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 4V栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ508
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