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商品参数:

  • 型号:MGSF1N03LT1
  • 厂家:ON
  • 批号:05+ 05+NOPB
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:N3
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.10Ω/Ohm @1.2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation730mW/0.73W
Description & ApplicationsPower MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc−dc converters and power management in portable and battery−powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones. • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available
描述与应用功率MOSFET 2.1 V,30 A单N沟道,SOT-23 这些微型表面贴装MOSFET的低RDS(ON)保证 最小的功率损耗,节约能源,使这些设备的理想选择 使用空间敏感的电源管理电路。典型 应用的DC-DC转换器,在便携式电源管理 和电池供电产品,如电脑,打印机,PCMCIA 卡,手机和无绳电话。 •低的RDS(on) 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MGSF1N03LT1
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