3LN03M N沟道MOSFET 30V 350mA/0.35A SOT-323/SC-70 marking/标记 YG 低导通电阻/高速开关|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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3LN03M N沟道MOSFET 30V 350mA/0.35A SOT-323/SC-70 marking/标记 YG 低导通电阻/高速开关

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商品参数：

型号：3LN03M
厂家：SANYO
批号：09NOPB600
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：YG
封装：SOT-323/SC-70
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流Id Drain Current	350mA/0.35A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.7Ω/Ohm @180mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features Silicon N-Channel MOS FET Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用	三洋半导体 N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用特性硅N沟道MOS FET 低导通电阻超高速开关 2.5V驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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