请先登录
首页
购物车0
库存3000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：SI1501DL
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：03+ 03+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：rn
  • 封装：SOT-363/SC70-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V/8V
最大漏极电流IdDrain Current250mA/-180mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance2Ω@ VGS =4.5V, ID =250mA/3.8Ω@ VGS =-4.5V, ID =-180mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.4~1.5V/-0.4~-1.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsComplementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET
描述与应用互补的20-V（D-S） 低阈值MOSFET
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI1501DL
*主题：
详细内容：
*验证码：