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  • 型号：IRF5852TR
  • 厂家：IR
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：EE
  • 封装：SOT-163/SOT23-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current2.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance120mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 2.2A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.25V
耗散功率PdPower Dissipation960mW/0.96W
Description & ApplicationsUltra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用超低导通电阻 双N沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
IRF5852TR
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