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  • 型号：RTQ035N03
  • 厂家：rohm
  • 批号：04nopb 04+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：qp
  • 封装：SOT-323/SC-70/UMT3
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.067Ω/Ohm @2.5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation800mW/0.8W
Description & Applications2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Space saving−small surface mount package (TUMT3). Low voltage drive (2.5V drive).
描述与应用2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 节省空间的小型表面贴装封装（TUMT3）。 低电压驱动
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RTQ035N03
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