2sk2046 N沟道MOSFET 30V 12A TO-252/TP-FA marking/标记 k2046 低导通电阻/超高速开关/低电压驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2sk2046 N沟道MOSFET 30V 12A TO-252/TP-FA marking/标记 k2046 低导通电阻/超高速开关/低电压驱动

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型号：2sk2046
厂家：sanyo
批号：05+ 05+
整包数量：700
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：k2046
封装：TO-252/TP-FA
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	15V
最大漏极电流Id Drain Current	12A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	24Ω/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	30W
Description & Applications	N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching Low-voltage drive
描述与应用	N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用特性 N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用低导通电阻超高速开关低电压驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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BYG10G 整流二极管 1.5A 1.15V SMA/DO-214AC 标记BYG10G	BYG10G 标记：BYG10G 封装：SMA/DO-214AC	VISHAY	批号：05+	200 10起订
8个电阻排阻 MNR38HOAJ105 1.0MΩOhm 8(1206）-1M marking标记R105	MNR38HOAJ105 标记：R105 封装：8(1206）-1M	ROHM	批号：05+	1900 10起订
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