| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 160V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 80MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~390 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 2V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1W |
| Description & Applications | Power Transistor Features * High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) * Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) * High transition frequency.(fT = 80MHZ) * Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. |
| 描述与应用 | 功率晶体管 特点 *高击穿电压（BVCEO=160V）。 *低集电极输出电容。 （典型值20pF的VCB=10V） *高转换频率（FT =80MHZ）。 *补充2SB1275/2SB1236A的。 |