RTF025N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 PL ESD保护门/低VDS|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

RTF025N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 PL ESD保护门/低VDS

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型号：RTF025N03
厂家：ROHM
批号：0915NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：PL
封装：SOT-323/SC-70/UMT3
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	12V
最大漏极电流Id Drain Current	2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.067Ω/Ohm @2.5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	800mW/0.8W
Description & Applications	2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Space saving−small surface mount package (TUMT3). Low voltage drive (2.5V drive).
描述与应用	2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。节省空间的小型表面贴装封装（TUMT3）。低电压驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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