| 三极管BJT类型 TYPE |
PNP DTA144E |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-30MA |
| 三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
250MHZ |
| 三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
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| 三极管BJT管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 二极管DIODE类型 TYPE |
肖特基二极管 RB520G-30 |
| 二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage |
30V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current |
0.1A |
| 二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf) |
0.45V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
0.15W |
| Description & Applications |
General purpose transistor
(isolated transistor and diode)
DTA144E and a RB520G-30 are housed independently in a EMT package.
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| 描述与应用 |
通用晶体管
(孤立的晶体管和二极管)
DTA144E和独立RB520G-30被安置在一个EMT包。
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