| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 75V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 600mA/0.6A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION 2SC6046 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with high collector current, low VCE（sat）. FEATURE ●High collector current IC（MAX） =600mA ●Low collector to emitter saturation voltage VCE（sat） <0.3Vmax (IC=150mA、IB=15mA） APPLICATION switching application, small type motor drive application. |
| 描述与应用 | 通用的高电流驱动应用 硅NPN外延型 说明 2SC6046硅NPN外延型晶体管设计 高集电极电流，低VCE（SAT）。 特写 ●高集电极电流 集成电路（MAX） =600毫安 ●低集电极到发射极饱和电压 VCE（sat）的 <0.3Vmax （IC =的150mA，IB=15毫安） 应用 开关应用中，小型电机驱动应用。 |