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  • 型号：RK7002A
  • 厂家：ROHM
  • 批号：03+ 04+1.6KROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：RKS
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1.0Ω/Ohm @300mA,10v
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & Applications4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET transistor Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA (safe operating area). Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel.
描述与应用4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET晶体管 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RK7002A
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