SI2307BDS P沟道MOS场效应管 0.061ohm SOT-23 marking/标记 L7 P沟道垂直DMOS|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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SI2307BDS P沟道MOS场效应管 0.061ohm SOT-23 marking/标记 L7 P沟道垂直DMOS

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型号：SI2307BDS
厂家：VISHAY
批号：06+NOPB 06+NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：L7
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage
最大漏极电流IdDrain Current
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.061Ω @-3.2A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	2.1V
耗散功率PdPower Dissipation	1.25W
Description & Applications	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET P-Channel Vertical DMOS Macro Model (Subcircuit Model) Level 3 MOS
描述与应用	P沟道30-V（D-S）的MOSFET P沟道垂直DMOS 宏模型（子电路模型）级别3 MOS

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
ACM2520-301-2P-T001 共模电感 2520-301	ACM2520-301-2P-T001 标记：2(1206) 封装：2520-301	TDK	批号：05	0 10起订
小功率电感 LQH32CN221K21L 220UH 3225-221K	LQH32CN221K21L 标记：LQH3C221K34M00 封装：3225-221K	MURATA	批号：05 05+	2000 10起订
D2F20 整流二极管 1.4A 1.05V SMC/DO-214AB 标记2FV20	D2F20 标记：2FV20 封装：SMC/DO-214AB	shindengen	批号：05+ 05+NOPB250	1050 10起订
2SC5916 NPN三极管 30V 2A 250MHz 180~390 200mV/0.2V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 UYR 高速开关	2SC5916 T100R 标记：UYR 封装：SOT-89/SC-62/MPT3	ROHM	批号： 05+PB	0 10起订
RLZ5235B 稳压二极管 6.8V 500mW/0.5W SOD80/LL34-6.8V marking/标记	RLZ5235B 标记：封装：SOD80/LL34-6.8V	ROHM	批号：05+ 05+	30000 10起订
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SMS2100 肖特基二极管 100V 2A 790mV/0.79V DO-213AB marking/标记 SMS2100	SMS2100 标记：SMS2100 封装：DO-213AB	DIOTEC	批号：05+ 05+	0 10起订
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