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  • 型号：SI5855DC
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05 06+9KMROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：jb
  • 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source VoltageP沟道 P-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-20V
最大漏极电流IdDrain Current-8V
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance-2.7A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage110mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-2.7A
耗散功率PdPower Dissipation-0.45~-1.0V
Description & Applications肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
描述与应用20V
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI5855DC
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