| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −80V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −500mA/-0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 50MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -250mV/-0.25V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1.2W |
| Description & Applications | PNP general purpose transistor FEATURES • Low current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION PNP transistor in a SOT223 plastic package. NPN complement: PZTA06 |
| 描述与应用 | PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大500毫安） •低电压（最大80 V）。 应用 •专业的电话和通信设备。 说明 PNP晶体管在SOT223塑料包装。 NPN补充：PZTA06 |