2SJ326-Z-E1 P沟道MOS场效应管 -60V 2A 0.28ohm SOT-252 marking/标记 J326 高速开关工业用途|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SJ326-Z-E1 P沟道MOS场效应管 -60V 2A 0.28ohm SOT-252 marking/标记 J326 高速开关工业用途

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型号：2SJ326-Z-E1
厂家：NEC
批号：06+ 05+
整包数量：2000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：J326
封装：TO-252/DPAK
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.28Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation	20W
Description & Applications	MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode
描述与应用	MOS场效应功率晶体管开关 P沟道功率MOS FET 工业用途低通-态电阻 Ciss低内置G-S门的法律保护二极管

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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