STD2NB60T4 N沟道MOSFET 600V 2.6A TO-252/D-PAK marking/标记 D2NB60 高速开关/低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

STD2NB60T4 N沟道MOSFET 600V 2.6A TO-252/D-PAK marking/标记 D2NB60 高速开关/低导通电阻

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型号：STD2NB60T4
厂家：ST
批号：05+
整包数量：2500
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：D2NB60
封装：TO-252/D-PAK
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	30V
最大漏极电流Id Drain Current	2.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	3.3Ω/Ohm @1.6A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	3-5V
耗散功率Pd Power Dissipation	50W
Description & Applications	TYPICAL RDS(on) = 3.3 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED
描述与应用	典型的RDS（on）=3.3Ω 非常高的dv/ dt能力 100％雪崩测试非常低的固有电容栅极电荷最小化

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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