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  • 型号：SSM6N04FU
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：DC
  • 封装：SOT-363/SC70-6/UF6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1200mΩ@ VGS = 2.5V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.7~1.3V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switch Applications ●With built-in gate-source resistor: RGS = 1 MΩ (typ.) ●2.5 V gate drive ●Low gate threshold voltage: Vth = 0.7~1.3 V ●Small package
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 ●借助内置的栅极 - 源极电阻器：RGS= 1MΩ（典型值） ●2.5 V门极驱动 ●低栅极阈值电压VTH =0.7〜1.3 V ●采用小型封装。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SSM6N04FU
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