SN7002E6327 N沟道MOSFET 60V 190mA/0.19A SOT-523 marking/标记 Sn 低导通电阻/低电压驱动/高速开关|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SN7002E6327 N沟道MOSFET 60V 190mA/0.19A SOT-523 marking/标记 Sn 低导通电阻/低电压驱动/高速开关

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型号：SN7002E6327
厂家：INFINEON
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：Sn
封装：SOT-523
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	14V
最大漏极电流Id Drain Current	190mA/0.19A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	2.5Ω/Ohm @100mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.8-2V
耗散功率Pd Power Dissipation	360mW/0.36W
Description & Applications	SIPMOS ® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • VGS(th) = 0.8...2.0V
描述与应用	SIPMOS®小信号晶体管 •N通道 •增强模式 •逻辑电平 •VGS（TH）=0.8

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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