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  • 型号：SI3424DV-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：10+nopb 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：24GAG
  • 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.028Ω/Ohm @7A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation2.98W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET
描述与应用N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI3424DV-T1-E3
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