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  • 型号：SGM2004M-T8
  • 厂家：SONY
  • 批号：02+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：E
  • 封装：SOT-143/M-254
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage12V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-5V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current8mA-28mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-2.5V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsGaAs N-Channel Dual gate MES FET UHF band amplifier,mixer and oscillator Low voltage operation Low noise High gain Low cross-modulation High stability Built gate-protection diode
描述与应用砷化镓N沟道双栅MES场效应管 超高频频段的放大器，混频器和振荡器 低电压操作 低噪音 高增益 低交叉调制 高稳定性 内置栅极保护二极管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SGM2004M-T8
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