RUM003N02 N沟道MOSFET 20V 300mA/0.3A sot-723/VMT3 marking/标记 QT 逻辑电平|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

RUM003N02 N沟道MOSFET 20V 300mA/0.3A sot-723/VMT3 marking/标记 QT 逻辑电平

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型号：RUM003N02
厂家：ROHM
批号：0612+NOPB 08NOPB
整包数量：8000
最小起批量：100
标记/丝印/代码/打字：QT
封装：sot-723/VMT3
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流Id Drain Current	300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	1.0Ω/Ohm @300mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.3-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	2.5V Drive Nch MOSFET Silicon N-channel MOSFET 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy
描述与应用	2.5V驱动N沟道MOSFET 硅N沟道MOSFET 1）低导通电阻。 2）快速开关速度。 3）低电压驱动（2.5V）使该器件理想用于便携式设备。 4）驱动电路可以很简单。 5）并行使用容易

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
贴片电解电容 RV2-16V100M-R 10?F 4X5.3 marking/标记 16V10UF	RV2-16V100M-R 标记：16V10UF 封装：4X5.3	ELNA	批号：05+	0 10起订
贴片电解电容 RV2-16V220M-R 22?F 5X5.3 marking/标记 16V22UF	RV2-16V220M-R 标记：16V22UF 封装：5X5.3	ELNA	批号：05+	0 10起订
贴片电解电容 RV2-25V220M-R 22?F 6.3X53 marking/标记 25V22UF	RV2-25V220M-R 标记：25V22UF 封装：6.3X53	ELNA	批号：05+	0 10起订
贴片电解电容 RV2-35V100M-R 10?F 5X5.3 marking/标记 35V10UF	RV2-35V100M-R 标记：35V10UF 封装：5X5.3	ELNA	批号：05+	0 10起订
贴片电解电容 RV2-35V220M-R 22?F 6.3X5.3 marking/标记 35V22UF	RV2-35V220M-R 标记：35V22UF 封装：6.3X5.3	ELNA	批号：05+	0 10起订
贴片电解电容 RV2-35V2R2MB55R 2.2?F 3X5.3 marking/标记 35V2.2UF	RV2-35V2R2MB55R 标记：35V2.2UF 封装：3X5.3	ELNA	批号：05+	0 10起订
贴片电解电容 RV2-35V4R7M-R 4.7?F 4X5.3 marking/标记 35V4.7UF	RV2-35V4R7M-R 标记：35V4.7UF 封装：4X5.3	ELNA	批号：05+	0 10起订
贴片电解电容 RV2-4V221MU-R 220?F 6.3X5.3 marking/标记 4V220UF	RV2-4V221MU-R 标记：4V220UF 封装：6.3X5.3	ELNA	批号：05+	0 10起订

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