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  • 型号：QS6K1
  • 厂家：ROHM
  • 批号：41-
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K01
  • 封装：SOT-153/SOT23-5/TSMT5
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current10A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance364mΩ@ VGS =2.5V, ID =1A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.5~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation1.25W
Description & Applications2.5V Drive Nch+Nch MOS FET Features Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT6). Application Power switching, DC / DC converter.
描述与应用2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET 特点 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT6）。 应用 电源开关，DC / DC变换器。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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QS6K1
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