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  • 型号：PMV117EN
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：07NOPB 07+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：WM1
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation830mW/0.83W
Description & ApplicationsµTrenchMOS™ enhanced logic level FET General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS™ technology Logic level threshold Very fast switching Low threshold voltage Surface-mounted package
描述与应用μTrenchMOS™增强逻辑电平FET 一般说明 逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）在一个塑料 包装使用TrenchMOS™技术 逻辑电平阈值 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PMV117EN
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