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  • 型号：PMF400UN
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：F3
  • 封装：SOT-323/SC-70
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30v
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8v
最大漏极电流Id Drain Current830mA/0.83A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation560mW/0.56W
Description & ApplicationsN-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Low on-state resistance n Low threshold voltage.
描述与应用N沟道μTrenchMOS™超低水平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术。 表面贴装封装 足迹比SOT23小40％ 低通态电阻n低阈值电压
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PMF400UN
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