NTS4001NT1G N沟道MOSFET 30V 270mA/0.27A SOT-323/SC-70 marking/标记 TD 小功率损耗|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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NTS4001NT1G N沟道MOSFET 30V 270mA/0.27A SOT-323/SC-70 marking/标记 TD 小功率损耗

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型号：NTS4001NT1G
厂家：ON
批号：05+ 05+200PCSNOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：TD
封装：SOT-323/SC-70
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	270mA/0.27A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	1.5Ω/Ohm @10A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	330mW/0.33W
Description & Applications	• Low Gate Charge for Fast Switching • Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6 • ESD Protected Gate • Pb−Free Package for Green Manufacturing (G Suffix)
描述与应用	•低栅极电荷快速开关 •占地面积小 - 30％小于TSOP-6 •ESD保护门 •面向绿色制造的无铅封装（G后缀）

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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