NDS352P P沟道MOS场效应管 -20V 850mA 0.46ohm SOT-23 marking/标记 352|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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NDS352P P沟道MOS场效应管 -20V 850mA 0.46ohm SOT-23 marking/标记 352

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商品参数：

型号：NDS352P
厂家：FAIRCHILD
批号：01+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：352
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	12V
最大漏极电流IdDrain Current	-850mA/-0.85A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.46Ω @-800mA,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.8--2.5V
耗散功率PdPower Dissipation	500mW/0.5W
Description & Applications	Proprietary package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. Compact industry standard SOT-23 surface mount package.
描述与应用	专有包装设计采用铜引线框架的卓越的热性能和电气性能。高密度电池设计极低的RDS（ON）卓越的导通电阻和最大DC电流能力。紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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NDS359AK N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 359AK 低电压应用	NDS359AK 标记：359AK 封装：SOT-23/SC-59	FAIRCHILD	批号：05+ 05+	200 10起订
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商品：: NDS352P

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