MTM861240L P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.1ohm SOT-563 marking/标记 DM 功率MOSFET 小型封装|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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MTM861240L P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.1ohm SOT-563 marking/标记 DM 功率MOSFET 小型封装

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型号：MTM861240L
厂家：Panasonic
批号：07+NOPB 07+ROHS
整包数量：10000
最小起批量：100
标记/丝印/代码/打字：DM
封装：SOT-563
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流IdDrain Current	-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.1Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.4--1.3V
耗散功率PdPower Dissipation	540mW/0.54W
Description & Applications	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device
描述与应用	P沟道增强模式功率MOSFET 简单的驱动要求小封装表面贴装设备

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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