MGF4917C MESFET-N沟道 -3V 10mA-60mA -0.1V -- -1.5V GD-16 marking/标记 CH 高频应用/低噪声|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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MGF4917C MESFET-N沟道 -3V 10mA-60mA -0.1V -- -1.5V GD-16 marking/标记 CH 高频应用/低噪声

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型号：MGF4917C
厂家：MITSUBISHI
批号：05+ 05+
整包数量：500
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：CH
封装：GD-16
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-3V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-3V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	10mA-60mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.1V -- -1.5V
耗散功率PdPower Dissipation	50mW
Description & Applications	Type carrier super low noise GaAs FET X to K band low noise amplifiers and oscillators Low noise figure High associated gain
描述与应用	超低噪音型载体砷化镓场效应管 X到K波段低噪声放大器和振荡器低噪声系数高相关增益

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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