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  • 型号：KST5089
  • 厂家：SAMSUNG
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：1R
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)30V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)50MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)450~1200
管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage500mV/0.5V
耗散功率PcPower Dissipation350mW/0.35W
Description & ApplicationsLow Noise Transistor NPN Epitaxial Silicon Transistor
描述与应用低噪声晶体管 NPN外延硅晶体管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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KST5089
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