首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：IRF5803TR
  • 厂家：IR
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：G6
  • 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-40V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage
最大漏极电流IdDrain Current-3.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.112Ω @-3.4A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsUltra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
IRF5803TR
*主题：
详细内容：
*验证码：