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  • 型号：HN1C03F-B
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：C3B
  • 封装：SOT-163/SM6/SOT-26
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		  50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		  20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		  300MA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  30MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		  350~1200
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		  0.1V
耗散功率Pc
Power Dissipation		  300MW/0.3W
描述与应用
Description & Applications		  特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺）包括两个设备在SM6（超迷你型6引线） •高发射极 - 基极电压VEBO= 25V（最小值） •高反向HFE：扭转HFE=150（典型值）（VCE=2V，IC=4毫安） •低导通电阻RON=1Ω（典型值）（IB=5毫安） •对于静音和开关应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
HN1C03F-B
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