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  • 型号：HMBT1815GLT1
  • 厂家：HI-SINCERITY
  • 批号：05+ 05+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：C4G
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)150mA/0.15A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)80MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)200~400
管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage250mV/0.25V
耗散功率PcPower Dissipation225mW/0.225W
Description & ApplicationsNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification.
描述与应用NPN外延平面晶体管 专为通用开关和放大器应用。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
HMBT1815GLT1
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