G2306 N沟道MOSFET 20V 5.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 2306 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

G2306 N沟道MOSFET 20V 5.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 2306 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS

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商品参数：

型号：G2306
厂家：GTM
批号：07NOPB 07NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：2306
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	12v
最大漏极电流Id Drain Current	5.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.03Ω/Ohm @5.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.38W
Description & Applications	ԦCapable of 2.5V gate drive ԦLower on-resistance ԦReliable and Rugged
描述与应用	能够在2.5V栅极驱动低导通电阻可靠耐用

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G31ATB103M 10KΩ/Ohm 3X3-10K marking/标记 103	G31ATB103M 标记：103 封装：3X3-10K	TOCOS	批号：05+ 05+	1600 10起订
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G31ATB202M 2KΩ/Ohm 3X3-2K marking/标记 202	G31ATB202M 标记：202 封装：3X3-2K	TOCOS	批号：05+	400 10起订
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G31ATB500M 50Ω/Ohm 3X3-50R marking/标记 500	G31ATB500M 标记：500 封装：3X3-50R	TOCOS	批号：05+	900 10起订
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G31ATB501M 500Ω/Ohm 3X3-500R marking/标记 501	G31ATB501M 标记：501 封装：3X3-500R	tocos	批号：05+ 05+	600 10起订
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G31ATB502M 5KΩ/Ohm 3X3-5K marking/标记 502	G31ATB502M 标记：502 封装：3X3-5K	TOCOS	批号：05+ 05+	2000 10起订
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G31ATB503M 50KΩ/Ohm 3X3-50K marking/标记 503	G31ATB503M 标记：503 封装：3X3-50K	TOCOS	批号：05+	0 10起订
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G31ATB504M 500KΩ/Ohm 3x3-500K marking/标记 504	G31ATB504M 标记：504 封装：3x3-500K	TOCOS	批号：05+	500 10起订
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G32ATB102M 1KΩ/Ohm 3X3-1K marking/标记 102	G32ATB102M 标记：102 封装：3X3-1K	TOCOS	批号：05+	100 10起订

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商品：: G2306

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