| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
25V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
220mA/0.22A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3.1Ω/Ohm @400mA,4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
1.2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V. Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model Replace multiple NPN digital transistors with one DMOS FET |
| 描述与应用 |
非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS（TH<1.5。 门源齐纳ESD坚固。 >6kV人体模型 更换多个NPN数字晶体管与一DMOS FET |