F5019-S-TE24R N沟道MOSFET TO-263 marking/标记 F5019 低导通电阻/高速开关/4V驱动器|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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F5019-S-TE24R N沟道MOSFET TO-263 marking/标记 F5019 低导通电阻/高速开关/4V驱动器

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型号：F5019-S-TE24R
厂家：FUJI
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：F5019
封装：TO-263
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	40V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	-0.3V~7V
最大漏极电流Id Drain Current	12A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	140mΩ @ID=5A, VGS=5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.0V~2.8V
耗散功率Pd Power Dissipation	30W
Description & Applications
描述与应用

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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