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F5019-S-TE24R N沟道MOSFET TO-263 marking/标记 F5019 低导通电阻/高速开关/4V驱动器

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商品参数：

型号：F5019-S-TE24R
厂家：FUJI
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：F5019
封装：TO-263
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	40V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	-0.3V~7V
最大漏极电流Id Drain Current	12A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	140mΩ @ID=5A, VGS=5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.0V~2.8V
耗散功率Pd Power Dissipation	30W
Description & Applications
描述与应用

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
F-501T 恒流二极管 0.40mA~0.63mA 400mW/0.4W LL34	F-501T 标记：封装：LL34	SEMITEC	批号：05+	0 10起订
F5042-S-TB16R N沟道MOSFET TO-252/D-PAK marking/标记 F5042 低导通电阻/超高速开关/4V驱动器	F5042-S-TB16R 标记：F5042 封装：TO-252/D-PAK	FUJI	批号：05+	4000 10起订
F-562T 恒流二极管 5.00mA~6.50mA 400mW/0.4W LL34	F-562T 标记：封装：LL34	SEMITEC	批号：05+	27 10起订
F-701T 恒流二极管 0.60mA~0.92mA 400mW/0.4W SOT	F-701T 标记：封装：SOT	SEMITEC	批号：05+	0 10起订
F-822T 恒流二极管 6.56mA~9.84mA 400mW/0.4W LL34	F-822T 标记：封装：LL34	SEMITEC	批号：05+	0 10起订
磁珠 F900DCB-1124-P2	F900DCB-1124-P2 标记：封装：	TOKO	批号：05+ 05+	4000 10起订
FA1A3Q 带阻NPN三极管 60V 100mA/0.1A 1k 10k 增益35-230 SOT-23/SC-59 marking/标记 L83	FA1A3Q 标记：L83 封装：SOT-23/SC-59	NEC	批号：05+ 05+	3000 10起订
FA1A4M 带阻NPN三极管 60V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-230 SOT-23/SC-59 marking/标记 L33	FA1A4M 标记：L33 封装：SOT-23/SC-59	NEC	批号：05+9krohs 05+4*	27270 10起订

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商品：: F5019-S-TE24R

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