| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) Q1/Q2 |
60V/-60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2 |
50V/-50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2 |
150mA/-150mA |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2 |
180MHz/140MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2 |
120~560/120~560 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Q1/Q2 |
400mV/-500mV |
| 耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2 |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Features • General purpose transistor (dual transistors) • Both a 2SA1037AK chip and 2SC2412K chip in a EMT or UMT or SMT package. • Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. • Transistor elements are independent, eliminating interference. • Mounting cost and area can be cut in half. |
| 描述与应用 |
特点 •通用晶体管（双晶体管） •一个2SA1037AK芯片和2SC2412K芯片在EMT或UMT或SMT封装。 •安装可能与EMT3或UMT3或SMT3自动安装机器。 •晶体管元素是独立的，消除干扰。 •安装成本和面积可减少一半。 |