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  • 型号：ECH8613
  • 厂家：SANYO
  • 批号：03+NOPB
  • 整包数量：8000
  • 最小起批量：100
  • 标记/丝印/代码/打字：FF
  • 封装：ECH8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-12V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current-5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance60mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -0.5A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.4~-1.4V
耗散功率PdPower Dissipation1.3W
Description & ApplicationsP-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. • High-speed switching. • 2.5V drive.
描述与应用P-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特点 •低导通电阻。 •高速开关。 •2.5V驱动。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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ECH8613
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