CPH6429-TL-E N沟道MOSFET 50V 2A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZF 高密度电池设计极低的RDS（ON）|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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CPH6429-TL-E N沟道MOSFET 50V 2A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 ZF 高密度电池设计极低的RDS（ON）

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商品参数：

型号：CPH6429-TL-E
厂家：SANYO
批号：05NOPB 05+NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：ZF
封装：SOT-163/SOT23-6/CPH6
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流Id Drain Current	2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.22Ω/Ohm @1A,4mW
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.6W
Description & Applications	· Low ON-resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 2.5V drive.
描述与应用	•低导通电阻。 •超高速开关。 •2.5V驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
CPH6701 三极管+二极管 -3A 11V SOT-163 标记PA PNP+SBD	CPH6701 标记：PA 封装：SOT-163	SANYO	批号：05+	1900 10起订
单向可控硅 CR05AS 0.62V 0.5mA SOT-89 marking/标记 CB	CR05AS 标记：CB 封装：SOT-89	MITSUBISHI	批号：05+	290 10起订
单向可控硅 cr05as-12-BT13 0.62V 0.5mA SOT-89 marking/标记 AF	cr05as-12-BT13 标记：AF 封装：SOT-89	MITSUBISHI	批号：05+	0 10起订
单向可控硅 CR05AS-4-A 0.62V 0.5mA SOT-89 marking/标记 CB	CR05AS-4-A 标记：CB 封装：SOT-89	MITSUBISHI	批号：05+ 05+	6059 10起订
单向可控硅 CR05AS-4-BT1 0.62V 0.5mA SOT-89 marking/标记 CB	CR05AS-4-BT1 标记：CB 封装：SOT-89	MITSUBISHI	批号：05+ 05+	6100 10起订
单向可控硅 CR05AS-8-B 0.8V 3mA SOT-89 marking/标记 CD	CR05AS-8-B 标记：CD 封装：SOT-89	MITSUBISHI	批号：05+ 05+	50 10起订
单向可控硅 CR08AS-12-BT13 0.8V 1.5mA SOT-89 marking/标记 AF	CR08AS-12-B 标记：AF 封装：SOT-89	MITSUBISHI	批号：05+ 05+	200 10起订
单向可控硅 CR08AS-12-T13 0.8V 1.5mA SOT-89 marking/标记 AF	CR08AS-12-T13 标记：AF 封装：SOT-89	RENESAS	批号：05+ROHS	0 10起订

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商品：: CPH6429-TL-E

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