| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
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| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
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| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
30MA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
6GHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
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| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
3.5v |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
120MW/0.12W |
| Description & Applications |
* BGB420 Active Biased Transistor. * For high gain low noise amplifiers. * Ideal for wideband applications, cellular telephones,cordless telephones, SAT-TV and high frequency oscillators. * Gma=17.5dB at 1.8GHz. * Small SOT343 package. * Current easy adjustable by an external resistor. * Open collector output. * Typical supply voltage: 1.4-3.3V. * SIEGET*-25 technology. |
| 描述与应用 |
* BGB420有源偏置晶体管。 *对于高增益低噪声放大器。 *非常适于宽带应用，移动电话，无绳电话，卫星电视和高频率的振荡器。MA =17.5分贝为1.8GHz。 * 小型SOT343封装。 * 电流容易通过外部电阻可调。 * 集电极开路输出。 * 典型电源电压：1.4-3.3V。 * SIEGET*-25技术。 |