| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 15V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 25mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 2.8GHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 90 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | NPN 3 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS It is intended for RF applications such as oscillators in TV tuners. |
| 描述与应用 | NPN3 GHz的宽带晶体管 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。 应用 其目的是为射频应用，如电视调谐器振荡器。 |