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  • 型号：BC857S
  • 厂家：INFINEON
  • 批号：08+rohs 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：3C
  • 封装：SOT-363
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		  -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		  -45V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		  -100MA/-0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  250MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		  200~630
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		  -0.65V
耗散功率Pc
Power Dissipation		  250MW/0.25W
描述与应用
Description & Applications		  　PNP型硅房颤晶体管阵列
　　对于房颤输入阶段和驱动程序的应用程序
　　高电流增益
　　低饱和电压
　　两个(电)内部孤立的晶体管
　　在一个包有良好的匹配
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BC857S
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