3SK186FI N沟道MOSFET 12V 35mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 FI UHF电视调谐器RF放大器|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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3SK186FI N沟道MOSFET 12V 35mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 FI UHF电视调谐器RF放大器

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商品参数：

型号：3SK186FI
厂家：HITACHI
批号：05+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：FI
封装：SOT-143/MPAK-4
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流Id Drain Current	35mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.5--0.8V
耗散功率Pd Power Dissipation	100mW/0.1W
Description & Applications	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF TV tuner RF amplifier
描述与应用	硅N沟道双栅MOS FET 特性硅N沟道双栅MOS FET UHF电视调谐器RF放大器

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
3毫米SMT微调电位器 EVN5ESX50B52 500Ω/Ohm 3x3-500R marking/标记 52	EVN5ESX50B52 标记：封装：3x3-500R	Panasonic	批号：05+ 05+	2600 10起订
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