请先登录
首页
购物车0
库存8000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：3SK136
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：04+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：IV
  • 封装：SOT-143/MPAK-4
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current35mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-0.3--3/-0.4--2
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsFeatures SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS FET VHF TV TUNER RF AMPLIFIER
描述与应用特性 硅N沟道双栅MOS FET VHF电视调谐射频放大器
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
3SK136
*主题：
详细内容：
*验证码：