3LN01M-TL N沟道MOSFET 30V 150mA/0.15A SOT-323/SC-70 marking/标记低导通电阻/高速开关|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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3LN01M-TL N沟道MOSFET 30V 150mA/0.15A SOT-323/SC-70 marking/标记低导通电阻/高速开关

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型号：3LN01M-TL
厂家：SANYO
批号：9K05+nopb 05+rohs13400
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：
封装：SOT-323/SC-70
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流Id Drain Current	150mA/0.15A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	2.9Ω/Ohm @80mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Silicon N-Channel MOS FET Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用	N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用特性硅N沟道MOS FET 超高速开关应用低导通电阻超高速开关 2.5V驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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