请先登录
首页
购物车0
库存500件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK690-M
  • 厂家：Panasonic
  • 批号：05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：3M
  • 封装：SOT-89
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage10V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current150mA-600mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-6V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & ApplicationsHigh Frequency FETs. GaAs N-Channel MES FET. For UHF medium output power amplification. Features . Large collector dissipation PC. . Mini-power type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing.
描述与应用高频场效应管。 砷化镓N沟道MES FET。 UHF中等输出功率放大。 特点 .大集电极耗散PC。 .小功率型封装，允许瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装。
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK690-M
*主题：
详细内容：
*验证码：